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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOP-8 
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供应."
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  • 深圳市银鑫达科技有限公司

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  • 封装进口、原装现货 
  • 批号FAIRCHILD 
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 厂家FAIRC 
  • 封装SOP-8 
  • 批号NEW 
  • 绝对进口原装现货,市场价格最低!!
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 数量5800 
  • 厂家FAI 
  • 封装SO8 
  • 批号2024+ 
  • 全新原装现货,杜绝假货。
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 数量30000 
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  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 数量9500 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 
  • 批号24+ 
  • 绝对原装正品,可开专票,欢迎采购!!!
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • FDS3512 MOS(场效应管)
  • 数量13840 
  • 厂家原厂品牌 
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • FDS3512
  • 数量30000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOP-8 
  • 批号24+ 
  • 优势供应 实单必成 可13点增值税
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  • 0755-82788062 QQ:3004026884
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  • 北京力通科信电子有限公司

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  • 数量160 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装SO8NB 
  • 批号1212+ 
  • 自己库存本周特价13641346248
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 数量38000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SSOP 
  • 批号24+ 
  • 只做原装进口现货假一赔十!公司原装现货!
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 数量35600 
  • 厂家FAIRC 
  • 封装SOP-8 
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  • 诚信经营,原装现货,假一赔十,欢迎咨询15323859243
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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 原装正品 一手现货 假一赔百
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 数量6600 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装8-SOIC 
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  • 原盒原装原标签,市场最低价。
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  • 深圳市恒益昌科技有限公司

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  • 数量5680 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOP 
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  • 原装正品长期供货
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家fair 
  • 封装SO-8 
  • 批号25+ 
  • 全新原装公司现货销售
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 封装SOP-8 
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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 封装SOP8 
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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产品型号FDS3512的概述

芯片FDS3512的概述 FDS3512是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的双通道N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用于电源管理、电机驱动和高效开关电路,因此在消费电子、计算机、通信以及工业设备中广泛使用。F...
配单直通车
FDS3512产品参数
型号:FDS3512
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码:751EB
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.54
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.07 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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