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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2900pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装:2,500
其它名称:FDS5670TR
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