FDS8333C产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.1A，3.4A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：282pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

标准包装：2,500