FDV302P产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

详细描述：表面贴装 P 沟道 25V 120mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.31nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：FDV302PTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）