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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8500 
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量1200 
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  • 封装SOT-23 
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家DIODES/美台 
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 数量18560 
  • 厂家ZETEX 
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  • 深圳市顺鑫诚电子科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家ZETEX 
  • 封装SOT-23 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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产品型号FMMT591ATA的概述

FMMT591ATA芯片概述 FMMT591ATA是一种高性能的NPN型晶体管,广泛应用于放大和开关电路。它属于小功率晶体管的类别,能够在各种电子设备中提供稳定的输出,自其推出以来,受到许多设计师和工程师的青睐。该晶体管特别适用于音频放大器、开关电源以及低噪声信号放大器等应用场合,因此具有广泛的市场需求。 在现代电子产品中,尤其是消费者电子、工业控制和通信设备中,FMMT591ATA为设计师提供了一种可靠且经济的解决方案。这种晶体管能够有效地实现信号放大、开关调节和功率管理,从而提升设备的整体性能和功能性。 FMMT591ATA详细参数 FMMT591ATA的主要参数包括电压、电流和功率等,具体如下: - 类型:NPN - 最大集电极-发射极电压(Vceo):45V - 最大集电极-基极电压(Vcbo):45V - 最大发射极-基极电压(Vebo):5V - 最大持续集电极电流(Ic)...

产品型号FMMT591ATA的Datasheet PDF文件预览

A Product Line of  
Diodes Incorporated  
FMMT591A  
SOT23 PNP silicon planar medium power transistor  
Features  
Low equivalent on resistance R  
Part Marking Detail -91A  
= 350mat 1A  
CE(sat)  
Complementary type -FMMT491A  
Absolute maximum ratings.  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-Base voltage  
Collector-Emitter voltage  
Emitter-Base voltage  
V
V
V
-40  
CBO  
CEO  
EBO  
-40  
V
-5  
V
Peak pulse current  
I
I
I
-2  
-1  
A
CM  
Continuous Collector current  
Base current  
A
C
B
-200  
mA  
mW  
Power dissipation at Tamb=25oC  
Operating an storage temperature range  
P
500  
tot  
T ; T  
-55 to +150  
°C  
j
STG  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C)  
amb  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
Min  
Max  
Unit  
V
Conditions  
Collector-Base breakdown voltage  
Collector-Emitter breakdown voltage  
-40  
-40  
-5  
IC=-100A  
IC=-10mA (*)  
IE=-100A  
VCB=-30V  
VEB=-4V  
V
Emitter-Base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
-100  
-100  
-100  
-0.2  
nA  
nA  
nA  
V
Emitter cut-off current  
IEBO  
Collector-Emitter cut-off current  
Collector-Emitter saturation voltage  
ICES  
VCES=-30V  
IC=-100mA, IB=-1mA(*)  
IC=-500mA, IB=-20mA(*)  
IC=-1A, IB=-100mA(*)  
IC=-1A, IB=-50mA(*)  
VCE(sat)  
-0.35  
-0.5  
-1.1  
-1.0  
V
V
V
V
Base-Emitter saturation voltage  
Base-Emitter turn-on voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
IC=-1A, VCE=-5V(*)  
Static forward current transfer ratio  
300  
300  
IC=-1mA,  
IC=-100mA(*)  
IC=-500mA(*), VCE=-5V  
IC=-1A(*)  
800  
250  
160  
30  
IC=-2A(*)  
Transition frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Output capacitance  
Cobo  
10  
NOTES:  
(*) Measured under pulse conditions. Pulse width=300s. Duty cycle 2%  
Issue 4 - August 2008  
© Diodes Incorporated, 2008  
1
www.zetex.com  
www.diodes.com  
FMMT591A  
Electrical characteristics  
Issue 4 - August 2008  
© Diodes Incorporated, 2008  
2
www.zetex.com  
www.diodes.com  
FMMT591A  
Intentionally left blank  
Issue 4 - August 2008  
© Diodes Incorporated, 2008  
3
www.zetex.com  
www.diodes.com  
FMMT591A  
Definitions  
Product change  
Diodes Incorporated reserves the right to alter, without notice, specifications, design, price or conditions of supply of any product or  
service. Customers are solely responsible for obtaining the latest relevant information before placing orders.  
Applications disclaimer  
The circuits in this design/application note are offered as design ideas. It is the responsibility of the user to ensure that the circuit is fit for  
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Life support  
Diodes Zetex products are specifically not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express  
written approval of the Chief Executive Officer of Diodes Incorporated. As used herein:  
A. Life support devices or systems are devices or systems which:  
1. are intended to implant into the body  
or  
2. support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the  
labeling can be reasonably expected to result in significant injury to the user.  
B. A critical component is any component in a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to  
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Reproduction  
The product specifications contained in this publication are issued to provide outline information only which (unless agreed by the  
company in writing) may not be used, applied or reproduced for any purpose or form part of any order or contract or be regarded as a  
representation relating to the products or services concerned.  
Terms and Conditions  
All products are sold subjects to Diodes Inc. terms and conditions of sale, and this disclaimer (save in the event of a conflict between the  
two when the terms of the contract shall prevail) according to region, supplied at the time of order acknowledgement.  
For the latest information on technology, delivery terms and conditions and prices, please contact your nearest Diodes Zetex sales office.  
Quality of product  
Diodes Zetex Semconductors Limited is an ISO 9001 and TS16949 certified semiconductor manufacturer.  
To ensure quality of service and products we strongly advise the purchase of parts directly from Diodes Inc. or one of our regionally  
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Diodes Inc. does not warrant or accept any liability whatsoever in respect of any parts purchased through unauthorized sales channels.  
ESD (Electrostatic discharge)  
Semiconductor devices are susceptible to damage by ESD. Suitable precautions should be taken when handling and transporting devices.  
The possible damage to devices depends on the circumstances of the handling and transporting, and the nature of the device. The extent  
of damage can vary from immediate functional or parametric malfunction to degradation of function or performance in use over time.  
Devices suspected of being affected should be replaced.  
Green compliance  
Diodes Inc. is committed to environmental excellence in all aspects of its operations which includes meeting or exceeding regulatory  
requirements with respect to the use of hazardous substances. Numerous successful programs have been implemented to reduce the use  
of hazardous substances and/or emissions.  
All Diodes Zetex components are compliant with the RoHS directive, and through this it is supporting its customers in their compliance  
with WEEE and ELV directives.  
Product status key:  
“Preview”  
“Active”  
Future device intended for production at some point. Samples may be available  
Product status recommended for new designs  
“Last time buy (LTB)”  
Device will be discontinued and last time buy period and delivery is in effect  
“Not recommended for new designs” Device is still in production to support existing designs and production  
“Obsolete”  
Production has been discontinued  
Datasheet status key:  
“Draft version”  
This term denotes a very early datasheet version and contains highly provisional information, which  
may change in any manner without notice.  
“Provisional version”  
“Issue”  
This term denotes a pre-release datasheet. It provides a clear indication of anticipated performance.  
However, changes to the test conditions and specifications may occur, at any time and without notice.  
This term denotes an issued datasheet containing finalized specifications. However, changes to  
specifications may occur, at any time and without notice.  
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Issue 4 - August 2008  
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配单直通车
FMMT591ATA产品参数
型号:FMMT591ATA
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ZETEX PLC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.13
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:10 pF
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1
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