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FQP34N20产品参数和技术文档

FQP34N20产品图

FQP34N20产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.41000
$2.41
10
2.17700
$21.77
100
1.74970
$174.97
500
1.36086
$680.43
1,000
1.12756
$1,127.56

FQP34N20产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 15.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):78nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):180W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

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