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FQPF85N06产品参数和技术文档

FQPF85N06产品图

FQPF85N06产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.86000
$3.86
10
3.44700
$34.47
100
2.82660
$282.66
500
2.28888
$1,144.44
1,000
1.93037
$1,930.37

FQPF85N06产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F

详细描述:通孔 N 沟道 60V 53A(Tc) 62W(Tc) TO-220F

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 26.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):112nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4120pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):62W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220F

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:1,000

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