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产品型号GBJ2006-F的概述

芯片GBJ2006-F的概述 GBJ2006-F是一款广泛应用于电源电路和电子设备中的高效整流二极管,因其优异的性能和稳健的工作参数而受到许多电源设计工程师的青睐。这种芯片的主要特点包括低导通压降、高温补偿特性及良好的热稳定性,使得它在各种电力转换和高频应用中表现出色。这一器件能够在高温和恶劣环境...
配单直通车
GBJ2006-F产品参数
型号:GBJ2006-F
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:0.84
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:600 V
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.05 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:20 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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