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GBU1006产品参数
型号:GBU1006
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:R-PSFM-T4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:34 weeks
风险等级:1.27
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:600 V
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:220 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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