GBU4M产品参数

品牌：GeneSiC Semiconductor

描述：DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU

详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU

制造商：GeneSiC Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

二极管类型：单相

技术：标准

电压 - 峰值反向（最大值）：1kV

电流 - 平均整流（Io）：4A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：1.1V @ 4A

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 1000V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：4-SIP，GBU

供应商器件封装：GBU

标准包装：500

其它名称：GBU4MGN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）