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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 长荣电子

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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GE28F256L30B110产品参数
型号:GE28F256L30B110
生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA79,7X13,30
针数:79
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.61
Is Samacsys:N
最长访问时间:88 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B79
长度:11 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:4,255
端子数量:79
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA79,7X13,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:4 words
并行/串行:PARALLEL
电源:1.8,2.5/3 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
部门规模:16K,64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.051 mA
最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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