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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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HAT2105R-EL-E产品参数
型号:HAT2105R-EL-E
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
制造商包装代码:PRSP0008DD-D8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.5 A
最大漏极电流 (ID):0.5 A
最大漏源导通电阻:5.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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