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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市炎凯科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号HD1750FX的Datasheet PDF文件预览

HD1750FX  
HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR FOR HIGH  
DEFINITION AND NEW SUPER-SLIM CRT DISPLAYS  
STATE-OF-THE-ART TECHNOLOGY:  
DIFFUSED COLLECTOR "ENHANCED  
GENERATION" EHVS1  
Figure 1: Package  
WIDER RANGE OF OPTIMUM DRIVE  
CONDITIONS  
LESS SENSITIVE TO OPERATING  
TEMPERATURE VARIATION  
FULLY INSULATED POWER PACKAGE U.L.  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
ISOWATT218FX  
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR  
DIGITAL TV, HDTV AND HIGH-END  
MONITORS  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
DESCRIPTION  
The device is manufactured using Diffused  
Collector in Planar technology adopting "Enhance  
High Voltage Structure" (EHVS1) developed to fit  
High-Definition CRT displays.  
The new HD product series show improved silicon  
efficiency bringing updated performance to the  
Horizontal Deflection stage.  
Table 1: Order Codes  
Part Number  
Marking  
Package  
Packaging  
HD1750FX  
HD1750FX  
ISOWATT218FX  
TUBE  
Rev. 2  
December 2005  
1/8  
HD1750FX  
Table 2: Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage (V = 0)  
1700  
800  
10  
V
V
V
A
A
A
A
W
CES  
BE  
V
Collector-Emitter Voltage (I = 0)  
CEO  
B
V
Emitter-Base Voltage (I = 0)  
EBO  
C
I
Collector Current  
24  
C
I
Collector Peak Current (t < 5ms)  
36  
CM  
p
I
Base Current  
12  
B
I
Base Peak Current (t < 5ms)  
18  
BM  
p
o
P
75  
Total Dissipation at T = 25 C  
tot  
C
Insulation Withstand Voltage (RMS) from All Three Leads to  
External Heatsink  
V
2500  
V
ins  
T
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
J
Table 3: Thermal Data  
o
R
Thermal Resistance Junction-Case  
Max  
1.67  
thj-case  
C/W  
o
Table 4: Electrical Characteristics (T  
= 25 C unless otherwise specified)  
case  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
I
Collector Cut-off Current V = 1700 V  
0.2  
2
mA  
mA  
CES  
CE  
(V = 0)  
o
BE  
V
V
= 1700 V  
= 5 V  
T = 125 C  
C
CE  
I
Emitter Cut-off Current  
10  
µA  
EBO  
EB  
(I = 0)  
C
V
*
Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
I
= 10 mA  
800  
10  
V
CEO(sus)  
C
(I = 0 )  
B
V
Emitter-Base Voltage  
I
I
= 10 mA  
= 12 A  
V
EBO  
E
(I = 0 )  
C
V
*
*
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
I = 3 A  
3
V
V
CE(sat)  
C
B
V
Base-Emitter Saturation I = 12 A  
Voltage  
I = 3 A  
0.95  
30  
1.5  
BE(sat)  
C
B
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
= 1 A  
V
V
= 5 V  
= 5 V  
FE  
C
CE  
CE  
6.5  
9.5  
= 12 A  
= 12 A  
C
C
INDUCTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
f = 31250 Hz  
h
t
3.1  
3.8  
µs  
ns  
s
= 1.9 A  
I
= -8.1 A  
B(off)  
B(on)  
t
350  
500  
f
V
= 1320 V  
V
= -2.7 V  
BE(off)  
CE(fly)  
BB(off)  
L
= 0.8 µH  
INDUCTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
I
I
= 6.5 A  
f = 100 kHz  
h
C
t
1.7  
2
µs  
ns  
s
= 1.2 A  
I
= -5.85 A  
B(off)  
B(on)  
t
180  
250  
f
V
= 1220 V  
V
= -2.7 V  
BE(off)  
CE(fly)  
L
= 0.25 µH  
BB(off)  
* Pulsed: Pulsed duration = 300 ms, duty cycle 1.5 %.  
2/8  
HD1750FX  
Figure 3: Safe Operating Area  
Figure 4: Output Chatacterisctics  
Figure 5: DC Current Gain  
Figure 6: Derating Curve  
Figure 7: Reverse Biased SOA  
Figure 8: DC Current Gain  
3/8  
HD1750FX  
Figure 9: Collector-Emitter Saturation Voltage  
Figure 12: Base-Emitter Saturation Voltage  
Figure 10: Power Losses  
Figure 13: Power Losses  
Figure 11: Inductive Load Switching Time  
Figure 14: Inductive Load Switching Time  
4/8  
HD1750FX  
Figure 15: Power Losses and Inductive Load Switching Test Circuit  
Figure 16: Reverse Biased Safe Operating Area Test Circuit  
5/8  
HD1750FX  
ISOWATT218FX MECHANICAL DATA  
mm.  
DIM.  
MIN.  
5.30  
2.80  
3.10  
1.80  
0.80  
0.65  
1.80  
10.30  
TYP  
MAX.  
5.70  
3.20  
3.50  
2.20  
1.10  
0.95  
2.20  
11.50  
A
C
D
D1  
E
F
F2  
G
G1  
H
5.45  
15.30  
9
15.70  
10.20  
23.20  
26.70  
44.40  
4.70  
L
L2  
L3  
L4  
L5  
L6  
L7  
N
22.80  
26.30  
43.20  
4.30  
24.30  
14.60  
1.80  
3.80  
3.40  
24.70  
15  
2.20  
R
4.20  
Dia  
3.80  
7627132 B  
6/8  
HD1750FX  
Figure 5: Revision History  
Release Date  
30-May-2005  
19-Dec-2005  
Version  
Change Designator  
1
2
Initial Release.  
New h value in table 4  
FE  
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HD1750FX  
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配单直通车
HD1750FX产品参数
型号:HD1750FX
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:8.51
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):24 A
集电极-发射极最大电压:800 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):6.5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):75 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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