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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • HIP0061-AS2图
  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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HIP0061AS1产品参数
型号:HIP0061AS1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T7
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.78
其他特性:ESD PROTECTED
雪崩能效等级(Eas):100 mJ
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 3 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A
最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.265 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T7
JESD-609代码:e0
元件数量:3
端子数量:7
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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