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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:2484元
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产品型号HMC-ALH445的概述

芯片HMC-ALH445的概述 HMC-ALH445是一款由高频集成电路专家Hittite Microwave公司(现为Analog Devices的一部分)设计的宽频带低噪声放大器(LNA)。此款芯片因其出色的性能,以及在毫米波频段(通常在30 GHz到100 GHz之间)的应用而受到广泛关注。HMC-ALH445通常用于需要高增益、低噪声和良好线性度的通信系统中,因此在卫星通信、雷达系统及其他高频应用中扮演着关键角色。通过有效的电源管理和精确的布线设计,HMC-ALH445可以在不损失信号完整性的前提下工作,这使其成为众多高科技行业的首选产品之一。 芯片HMC-ALH445的详细参数 HMC-ALH445的主要技术规格包括: 1. 中心频率:通常工作在30-50 GHz之间。 2. 增益:典型增益大约为20 dB,在使用时可调。 3. 噪声系数:噪声系数通常在2 dB左右,...

产品型号HMC-ALH445的Datasheet PDF文件预览

HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Typical Applications  
Features  
Noise Figure: 3.9 dB @ 28 GHz  
Gain: 9 dB  
This HMC-ALH445 is ideal for:  
• Wideband Communication Systems  
• Point-to-Point Radios  
P1dB Output Power: +12 dBm @ 28 GHz  
Supply Voltage: +5V @ 45 mA  
Die Size: 1.6 x 1.6 x 0.1 mm  
• Point-to-Multi-Point Radios  
• Military & Space  
• Test Instrumentation  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC-ALH445 is a GaAs MMIC HEMT self-biased,  
wideband Low Noise Amplifier die which operates  
between 18 and 40 GHz. The amplifier provides  
9 dB of gain, 3.9 dB noise figure at 28 GHz and  
+12 dBm of output power at 1 dB gain compression  
while requiring only 45 mA from a single +5V supply.  
The HMC-ALH445 amplifier is ideal for integration into  
Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its small size.  
Electrical Specifications*, TA = +25° C, Vdd= +5V  
Parameter  
Min.  
Typ.  
18 - 28  
9
Max.  
5
Min.  
8
Typ.  
28 - 40  
10  
Max.  
4.5  
Units  
GHz  
dB  
Frequency Range  
Gain  
8
Noise Figure  
4
3.9  
dB  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
10  
10  
dB  
15  
15  
dB  
Output Power for 1 dB Compression  
12  
13  
dBm  
mA  
Supply Current (Idd) (Vdd = 5V)  
45  
45  
*Unless otherwise indicated, all measurements are from probed die  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
1 - 194  
HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Noise Figure vs. Frequency  
Linear Gain vs. Frequency  
Frequency (GHz)  
Input Return Loss vs. Frequency  
Output Return Loss vs. Frequency  
On-Wafer P1dB vs. Frequency  
Note: Measured Performance Characteristics (Typical Performance at 25°C) Vd1 = 5V, Id1 = 45 mA  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
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1 - 195  
HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Absolute Maximum Ratings  
Drain Bias Voltage  
Drain Bias Current  
RF Input Power  
+5.5 Vdc  
60 mA  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
10 dBm  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
180 °C  
-65 to +150 °C  
-55 to +85 °C  
Outline Drawing  
Die Packaging Information [1]  
NOTES:  
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM].  
2. TYPICAL BOND PAD IS .004” SQUARE.  
3. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD.  
4. BACKSIDE METAL IS GROUND.  
Standard  
Alternate  
WP - 21  
[2]  
[1] Refer to the “Packaging Information” section for die  
packaging dimensions.  
[2] For alternate packaging information contact Hittite  
Microwave Corporation.  
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD.  
6. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.  
7. OVERALL DIE SIZE .002”  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
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1 - 196  
HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Pad Descriptions  
Pad Number  
Function  
Description  
Interface Schematic  
This pad is AC coupled and matched to  
50 Ohms.  
1
RFIN  
Power Supply Voltage for the amplifier. See assembly for  
required external components.  
2, 4  
Vdd  
This pad is AC coupled and matched to  
50 Ohms.  
3
RFOUT  
GND  
Die bottom  
Die bottom must be connected to RF/DC ground.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
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1 - 197  
HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Assembly Diagram  
Note 1: Bypass caps should be 100 pF (approximately) ceramic (single-layer) placed no farther than 30 mils from the amplifier.  
Note 2: Best performance obtained from use of <10 mil (long) by 3 by 0.5mil ribbons on input and output.  
Note 3: Biasable from either side.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
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1 - 198  
HMC-ALH445  
v00.1007  
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz  
1
Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs  
The die should be attached directly to the ground plane eutectically or with  
0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC  
conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).  
Wire Bond  
50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina  
thin film substrates are recommended for bringing RF to and from the chip  
(Figure 1). If 0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be  
used, the die should be raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of  
the die is coplanar with the surface of the substrate. One way to accom-  
plish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick die to a 0.150mm (6 mil)  
thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then attached to the  
ground plane (Figure 2).  
0.076mm  
(0.003”)  
RF Ground Plane  
Microstrip substrates should be placed as close to the die as possible in  
order to minimize bond wire length. Typical die-to-substrate spacing is  
0.076mm to 0.152 mm (3 to 6 mils).  
0.127mm (0.005”) Thick Alumina  
Thin Film Substrate  
Figure 1.  
Handling Precautions  
Follow these precautions to avoid permanent damage.  
0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC  
Storage: All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD pro-  
tective containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment.  
Once the sealed ESD protective bag has been opened, all die should be  
stored in a dry nitrogen environment.  
Wire Bond  
0.076mm  
(0.003”)  
Cleanliness: Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt  
to clean the chip using liquid cleaning systems.  
RF Ground Plane  
Static Sensitivity: Follow ESD precautions to protect against ESD  
strikes.  
0.150mm (0.005”) Thick  
Moly Tab  
Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias  
is applied. Use shielded signal and bias cables to minimize inductive  
pick-up.  
0.254mm (0.010”) Thick Alumina  
Thin Film Substrate  
Figure 2.  
General Handling: Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with a sharp pair of bent tweezers. The  
surface of the chip has fragile air bridges and should not be touched with vacuum collet, tweezers, or fingers.  
Mounting  
The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or with electrically conductive epoxy.  
The mounting surface should be clean and flat.  
Eutectic Die Attach: A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 °C and a tool  
temperature of 265 °C. When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be 290 °C. DO  
NOT expose the chip to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds. No more than 3 seconds of  
scrubbing should be required for attachment.  
Epoxy Die Attach: Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed  
around the perimeter of the chip once it is placed into position. Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.  
Wire Bonding  
RF bonds made with 0.003” x 0.0005” ribbon are recommended. These bonds should be thermosonically bonded  
with a force of 40-60 grams. DC bonds of 0.001” (0.025 mm) diameter, thermosonically bonded, are recommended.  
Ball bonds should be made with a force of 40-50 grams and wedge bonds at 18-22 grams. All bonds should be made  
with a nominal stage temperature of 150 °C. A minimum amount of ultrasonic energy should be applied to achieve  
reliable bonds. All bonds should be as short as possible, less than 12 mils (0.31 mm).  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
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HMC-ALH445产品参数
型号:HMC-ALH445
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HITTITE MICROWAVE CORP
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.B.2.D
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT
增益:8 dB
最大输入功率 (CW):10 dBm
JESD-609代码:e4
最大工作频率:40000 MHz
最小工作频率:18000 MHz
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-55 °C
射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER
端子面层:Gold (Au)
Base Number Matches:1
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