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    • HST-2043DR图

    • 北京首天国际有限公司

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    • HST-2043DR
    • 数量12402 
    • 厂家GROUP-TEK 
    • 封装DIP 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
    • HST-2043DR图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • HST-2043DR
    • 数量12680 
    • 厂家CROUP 
    • 封装网络-变压器 
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    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • HST-2043DR图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • HST-2043DR
    • 数量85000 
    • 厂家GUOUP-TEK 
    • 封装DIP20 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    产品型号HST04的Datasheet PDF文件预览

    Spec. No. : HE200901  
    Issued Date : 2009.08.14  
    Revised Date :  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    Page No. : 1/4  
    HST04  
    TRIAC 600V,4A  
    Description  
    Passivated, sensitive gate triacs in a plastic envelope, intended for use in general  
    purpose bidirectional switching and phase control applications, where high  
    sensitivity is required in all four quadrants.  
    TO-220AB  
    Pin Configuration  
    Pin  
    1
    Description  
    Main terminal 1  
    Symbol  
    tab  
    T2  
    T1  
    G
    2
    Main terminal 2  
    Gate  
    1
    2 3  
    3
    tab  
    Main terminal 2  
    Limtiing Values  
    Symbol  
    Parameter  
    Repetitive peak off-state voltages  
    RMS on-state current  
    Min.  
    Max.  
    600  
    4
    Units  
    VDRM  
    IT(RMS)  
    ITSM  
    -
    -
    -
    -
    V
    A
    Non-repetitive peak on-state current(F=50Hz,tp=20ms)  
    I2t for fusing (IT=10ms)  
    40  
    A
    A2S  
    I2t  
    8.0  
    Repetitive rate of rise of on-state current after triggering  
    (F=50Hz,IG=50mA,dIg/dt=0.1us)  
    Peak gate current(tp=20us,Tj=125°C)  
    Average gate power  
    dIT/dt  
    -
    10  
    A/us  
    IGM  
    PG(AV)  
    Tstg  
    Tj  
    -
    2
    A
    -
    1
    W
    °C  
    °C  
    Storage Temperature Range  
    -40  
    -40  
    150  
    125  
    Operating junction temperature  
    HST04 Series  
    HSMC Product Specification  
    Spec. No. : HE200901  
    Issued Date : 2009.08.14  
    Revised Date :  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    Page No. : 2/4  
    Electrical Characteristics (Ta=25°C, unless otherwise stated,)  
    Rank  
    Symbol  
    Parameter  
    Quadrant  
    Unit  
    T
    5
    D
    5
    S
    A
    I - II - III  
    IV  
    MAX  
    MAX  
    10  
    10  
    20  
    40  
    25  
    10  
    25  
    20  
    40  
    25  
    mA  
    mA  
    mA  
    mA  
    mA  
    IGT  
    Gate Trigger Current (VD=12V)  
    5
    10  
    10  
    20  
    15  
    I - III- IV  
    II  
    10  
    20  
    15  
    Latching Current  
    (IT=1.2 IGT,Tj=25°C)  
    IL  
    IH  
    TYP  
    Holding Current(IT=0.1A,)  
    On-state Voltage  
    ALL  
    VTM  
    MAX  
    1.65  
    1.5  
    V
    V
    (IT=5.5A,tp=380us,Tj=25°C)  
    Gate Trigger Voltage  
    VGT  
    ID  
    (VD=12V, Tj=25°C)  
    10  
    1
    uA  
    Off-state Leakage Current TC=25°C  
    mA  
    (VD = VDRM(max)  
    TC=125°C  
    Static Characteristics  
    Symbol  
    Parameter  
    Conditions  
    DM=400VTj= 125°C; exponential  
    Min.  
    Typ.  
    10  
    Max.  
    -
    Unit  
    Critical rate of rise of  
    off-state voltage  
    V
    dVD/dt  
    -
    V/us  
    waveform; gate open circuit  
    Thermal Resistances  
    Symbol  
    Parameter  
    Min.  
    Typ.  
    2.4  
    Max.  
    Unit  
    Rth j-c  
    Thermal resistance junction to mounting base  
    °C/W  
    HST04 Series  
    HSMC Product Specification  
    Spec. No. : HE200901  
    Issued Date : 2009.08.14  
    Revised Date :  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    Page No. : 3/4  
    TO-220AB Dimension  
    DIM  
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    I
    J
    K
    L
    M
    N
    O
    P
    Min.  
    5.58  
    8.38  
    4.40  
    1.15  
    0.35  
    2.03  
    9.66  
    -
    Max.  
    7.49  
    8.90  
    4.70  
    1.39  
    0.60  
    2.92  
    10.28  
    *16.25  
    *3.83  
    4.00  
    0.95  
    3.42  
    1.40  
    *2.54  
    14.27  
    15.87  
    Marking:  
    F
    A
    B
    H
    E
    C
    D
    K
    -
    M
    Note: Green label is used for pb-free packing  
    I
    3.00  
    0.75  
    2.54  
    1.14  
    -
    3
    Pin Style: 1. Main terminal 1  
    2 & Tab. Main terminal 2  
    3.Gate  
    N
    G
    L
    2
    1
    Tab  
    Material:  
    • Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),  
    Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)  
    • Mold Compound: Epoxy resin family,  
    flammability solid burning class: UL94V-0  
    12.70  
    14.48  
    P
    O
    J
    *: Typical, Unit: mm  
    3-Lead TO-220AB  
    Plastic Package  
    HSMC Package Code: E  
    Important Notice:  
    • All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.  
    • HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.  
    • HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.  
    • HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.  
    Head Office And Factory:  
    • Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.):3F, No.72, Sec. 2, Nanjing E. Rd., Zhongshan Dist., Taipei City 104, Taiwan (R.O.C.).  
    Tel: 886-2-25212056 Fax: 886-2-25632712, 25368454  
    HST04 Series  
    HSMC Product Specification  
    Spec. No. : HE200901  
    Issued Date : 2009.08.14  
    Revised Date :  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    Page No. : 4/4  
    Soldering Methods for HSMC’s Products  
    1. Storage environment: Temperature=10oC~35oC Humidity=65%±15%  
    2. Reflow soldering of surface-mount devices  
    Figure 1: Temperature profile  
    t
    P
    Critical Zone  
    to T  
    TP  
    T
    L
    P
    Ramp-up  
    TL  
    t
    L
    Tsmax  
    Tsmin  
    t
    S
    Preheat  
    Ramp-down  
    25  
    t 25oC to Peak  
    Time  
    Profile Feature  
    Average ramp-up rate (TL to TP)  
    Preheat  
    Sn-Pb Eutectic Assembly  
    <3oC/sec  
    Pb-Free Assembly  
    <3oC/sec  
    - Temperature Min (Tsmin  
    )
    100oC  
    150oC  
    150oC  
    200oC  
    - Temperature Max (Tsmax  
    - Time (min to max) (ts)  
    Tsmax to TL  
    )
    60~120 sec  
    60~180 sec  
    - Ramp-up Rate  
    <3oC/sec  
    <3oC/sec  
    Time maintained above:  
    - Temperature (TL)  
    - Time (tL)  
    183oC  
    217oC  
    60~150 sec  
    240oC +0/-5oC  
    60~150 sec  
    260oC +0/-5oC  
    Peak Temperature (TP)  
    Time within 5oC of actual Peak  
    10~30 sec  
    20~40 sec  
    Temperature (tP)  
    Ramp-down Rate  
    <6oC/sec  
    <6oC/sec  
    Time 25oC to Peak Temperature  
    <6 minutes  
    <8 minutes  
    3. Flow (wave) soldering (solder dipping)  
    Products  
    Pb devices.  
    Peak temperature  
    245oC ±5oC  
    260oC +0/-5oC  
    Dipping time  
    5sec ±1sec  
    5sec ±1sec  
    Pb-Free devices.  
    HST04 Series  
    HSMC Product Specification  
    配单直通车
    HST-5B产品参数
    型号:HST-5B
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.73
    其他特性：WITH COIL SUPPRESSION DIODE
    最大线圈电流（直流）：0.05 A
    线圈功率：250 mW
    线圈电阻：100 Ω
    最大线圈电压（直流）：5 V
    线圈/输入电源类型：DC
    最大触点电流（交流）：1 A
    最大触点电流（直流）：1 A
    触点/输出电源类型：AC/DC
    制造商序列号：HST
    安装特点：THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
    最高工作温度：85 °C
    最低工作温度：-55 °C
    继电器动作：MOMENTARY
    继电器功能：DPDT
    继电器类型：POWER/SIGNAL RELAY
    密封：HERMETICALLY SEALED
    表面贴装：NO
    端接类型：SOLDER
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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