型号：BSC040N10NS5
制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

BSC040N10NS5ATMA1

描述

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

数据列表BSC040N10NS5;

标准包装  5,000

包装  标准卷带  

零件状态有源

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列OptiMOS™

其它名称BSC040N10NS5ATMA1-ND

BSC040N10NS5ATMA1TR

SP001295030

规格

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.8V @ 95μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）72nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5300pF @ 50V

FET 功能-

功率耗散（最大值）2.5W（Ta），139W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TDSON-8-7

封装/外壳8-PowerTDFN