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5奈米下的硅纳米片晶体管:

有别于现在市场上主流的鳍式场效晶体管(Fin Field Effect TRANSISTOR,FinFET),纳米片是由横向的gate-all-around (GAA)晶体管所组成。

IBM表示,他们研究纳米片技术的时间已超过10年,这是业界首次有人能够示范让堆栈纳米片装置的电性优于FinFET架构在设计与制造上的可行性,而纳米片晶体管架构也将取代FinFET主导7奈米芯片之后的制程发展。

另一方面,用于生产7奈米芯片的超紫外线蚀刻技术也被应用在基于纳米片的5奈米芯片上,该技术可在单一生产制程或芯片设计上持续调整纳米片的宽度,能够微调特定电路的效能与电力损耗,而这是受限于鳍高度的FinFET架构制程无法达到的。

有鉴于7奈米芯片要到明年才会商业化,5奈米芯片真正落实在商业产品上的时程可能还要好些年。


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