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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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HUF75639P3产品参数和技术文档

HUF75639P3产品图

HUF75639P3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.42000
$2.42
10
2.18500
$21.85
100
1.75560
$175.56
500
1.36548
$682.74
1,000
1.13140
$1,131.40

HUF75639P3产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:UltraFET™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 56A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):130nC @ 20V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):200W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:800

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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