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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 原装现货价钱优势实单可谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥8.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 批号25+ 
  • ★原装真实库存★13点税!
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 厂家INTERSIL 
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  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量549 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装TO-220AB 
  • 批号最新批号 
  • 全新原装假一贴十!
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家FAIRCHIL 
  • 封装TO-220 
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  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • 15618836863 QQ:617677003
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 0755-82788062 QQ:3004026884
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  • 深圳威尔运电子有限公司

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  • 厂家N/A 
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  • 正品原装,假一罚十!
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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO220 
  • 批号25+ 
  • 原装进口现货 假一罚十
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 数量14648 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家FAIRCHI 
  • 封装TO-220AB 
  • 批号20+ 
  • 只做原装.诚信经营
  • QQ:1290208342QQ:1290208342 复制
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  • 010-62669145 QQ:1290208342QQ:260779663
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • HUF75639P3
  • 数量23378 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO220 
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  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • HUF75639P3
  • 数量1675 
  • 厂家ON 
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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:23元
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  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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产品型号HUF75639P3的概述

HUF75639P3芯片的概述与参数详细分析 一、概述 HUF75639P3是一款高性能的N通道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、高效开关和其他需要快速开关特性的电子设备中。由于其高电压和大电流处理能力,该芯片在汽车电子、工业控制、消费电子等多个领域逐渐成为理想的选择。其设计旨在提供优越的热...
配单直通车
HUF75639P3产品参数
型号:HUF75639P3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.14
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):53 A
最大漏极电流 (ID):53 A
最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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