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产品型号HY57V281620FTP-6的产品参数和HY57V281620FTP-6的使用说明

芯片HY57V281620FTP-6概述

HY57V281620FTP-6是一款由现代存储器公司(Hyundai)生产的动态随机存取存储器(DRAM)。它属于DDR(双数据速率)SDRAM类型,广泛应用于计算机、智能手机、平板电脑以及其他数字设备中。该芯片设计用于提供高速存取和较大的存储容量,使其成为现代电子设备中不可或缺的解决方案之一。

此芯片的容量为256MB,采用16位数据总线结构,支持528MB/s的数据传输速率。HY57V281620FTP-6旨在与现代计算平台的高性能需求相匹配,提供高带宽和低延迟的存取性能,其工作电压为2.5V,相比于传统的SDRAM,其功耗显著降低。

芯片HY57V281620FTP-6的详细参数

HY57V281620FTP-6的主要技术参数如下:

- 存储容量: 256MB (32M x 8) - 封装形式: TSOP II (Thin Small Outline Package) - 数据总线宽度: 16位 - 工作电压: 2.5V ± 0.2V - 访问时间: 6ns - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C - 频率: 支持的时钟频率为最大133MHz - 封装尺寸: 8mm × 13.4mm - 引脚数量: 54引脚

此外,该芯片遵循JEDEC标准,并符合RoHS环保指令,体现了其在环保生产方面的努力。

芯片HY57V281620FTP-6的厂家、包装及封装

HY57V281620FTP-6由现代存储器公司(Hyundai)制造,该公司以其高质量的存储器产品广而闻名。_VENDOR_作为芯片生产商,致力于不断提升存储器技术,以支持更复杂的数据处理需求。

该芯片的封装类型为TSOP II,是一种低高度的表面贴装封装,适合大规模集成的应用场合。TSOP II相较于传统的DIP(双列直插封装)具有更小的尺寸和更高的焊接密度,便于在空间有限的板上实现存储器的集成。

芯片HY57V281620FTP-6的引脚和电路图说明

HY57V281620FTP-6的引脚配置设计为54引脚,每个引脚均需适当连接以确保其正常工作。以下是引脚功能的说明:

1. 加电引脚:VDD和VSS分别为电源引脚,用于供电和接地。 2. 数据引脚:DQ0至DQ15(数据引脚)用于数据传输,支持16位数据总线。 3. 地址引脚:A0至A11(地址引脚)用于地址选择,支持多种存取模式。 4. 控制引脚:包括CAS(列地址选通)、RAS(行地址选通)、WE(写使能)等控制信号,用于控制数据的读写操作。 5. 时钟引脚:CLK用于提供时钟信号,确保数据传输的同步性。

芯片HY57V281620FTP-6的使用案例

HY57V281620FTP-6广泛应用于各种电子设备中,其适应性和高性能使其成为诸多场景的选择。例如,在个人电脑中,它可以作为内存模块,其中多个HY57V281620FTP-6芯片被使用于主板的内存插槽中。用户在运行大型应用程序或游戏时,这款DRAM能够提供所需的快速数据访问和高效的存储能力。

此外,在智能手机和吸入式设备中,HY57V281620FTP-6同样扮演着重要角色。在移动设备需要快速响应和高性能多任务处理的场合,该DRAM的传输速率与低功耗特性为设备的性能提供了有力支持。同时,HY57V281620FTP-6的尺寸小且易于贴装,使得手机厂商能够在有限的空间内集成更多功能,从而提升用户体验。

在工业控制系统中,HY57V281620FTP-6也被广泛应用。其耐高温和稳定性的特性,使其适用于各种恶劣环境。工业设备通常需要高可靠性的存储,以确保实时数据的处理和控制,而HY57V281620FTP-6正适合满足此类需求。

此外,HY57V281620FTP-6在网络设备和服务器中的应用也十分常见。随着数据中心对存储能力和带宽的需求不断增长,此款DRAM以其较高的传输速率和可靠性,帮助服务器有效进行数据处理和存取。

总之,HY57V281620FTP-6凭借其高性能、低功耗和良好的兼容性,使其成为全球电子产品中不可或缺的关键元件,涵盖了个人消费电子、工业控制、网络设备等多个领域。

配单直通车
HY57V281620FTP-6产品参数
型号:HY57V281620FTP-6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.46
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e6
长度:22.238 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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