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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市凌旭科技有限公司

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  • 深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRF830产品参数和技术文档

IRF830产品图

IRF830产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
0.46690
$933.80

IRF830产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB

制造商:STMicroelectronics

系列:PowerMESH™

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):610pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):100W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-2732-5

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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