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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市创德丰电子有限公司

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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 封装TO220 
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳市正迈科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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IRFB11N50A产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):520 毫欧 @ 6.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1423pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):170W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:*IRFB11N50A

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