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IRFBE30产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):78nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):125W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:*IRFBE30

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