IRFD110产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 600mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：180pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

标准包装：2,500

其它名称：*IRFD110 IRFD111 IRFD112

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）