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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家IR/VISHAY 
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  • 深圳市赛矽电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 北京韶光科技有限公司

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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产品型号IRFPG50的概述

芯片IRFPG50的概述 IRFPG50是一种高功率场效应管(MOSFET),广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、以及电机驱动等多种场合。其设计考虑了高效能和良好的热管理,使得它成为了现代电子电路中不可或缺的重要组件。IRFPG50属于N沟道MOSFET,可以有效用于高频开关应用,允许在较高的栅电压下工作,从而提升其导通性能并降低开关损耗。这种器件因其优异的电气性能和稳定性而受到众多电子工程师的青睐,通常用于需要低Rds(on)和高电流处理能力的情况。 芯片IRFPG50的详细参数 IRFPG50的详细技术参数如下: - 最大漏极源极电压(Vds): 50V - 最大栅源极电压(Vgs): ±20V - 最大漏极电流(Id): 90A(在合理的散热条件下) - Rds(on): 最大为0.06Ω(在Vgs=10V时测得) - 输入电容(Ciss): 1,660 pF - 输出电容(C...

产品型号IRFPG50的Datasheet PDF文件预览

PD - 9.543C  
IRFPG50  
HEXFET® Power MOSFET  
www.irf.com  
1
10/29/97  
IRFPG50  
2
www.irf.com  
IRFPG50  
www.irf.com  
3
IRFPG50  
100  
10  
1
OPERATION IN THIS AREA LIMITED  
BY R  
DS(on)  
10us  
100us  
1ms  
10ms  
°
T = 25 C  
C
°
T = 150 C  
J
Single Pulse  
0.1  
10  
100  
1000  
10000  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Fig 8. Maximum Safe Operating  
Area  
4
www.irf.com  
IRFPG50  
www.irf.com  
5
IRFPG50  
6
www.irf.com  
IRFPG50  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit  
+
CircuitLayoutConsiderations  
Low Stray Inductance  
Ground Plane  
Low Leakage Inductance  
Current Transformer  
D.U.T  
ƒ
-
+
‚
-
„
-
+

RG  
dv/dt controlled by RG  
Driver same type as D.U.T.  
ISD controlled by Duty Factor "D"  
D.U.T. - Device Under Test  
+
-
VDD  
Driver Gate Drive  
P.W.  
Period  
Period  
D =  
P.W.  
V
=10V  
*
GS  
D.U.T. I Waveform  
SD  
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
Current  
di/dt  
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  
V
DD  
Re-Applied  
Voltage  
Body Diode  
Forward Drop  
Inductor Curent  
I
SD  
Ripple 5%  
* VGS = 5V for Logic Level Devices  
Fig 14. For N-Channel HEXFETS  
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7
IRFPG50  
TO-247AC Package Details  
- D  
-
3 .6 5 (.1 4 3 )  
3 .5 5 (.1 4 0 )  
5 .3 0 (.2 0 9 )  
4 .7 0 (.1 8 5 )  
1 5 .90 (.6 2 6)  
1 5 .30 (.6 0 2)  
0 .25 (.0 1 0)  
M
D
B
M
2 .5 0 (.0 8 9)  
1 .5 0 (.0 5 9)  
- B  
-
- A  
-
5 .5 0 (.2 1 7 )  
4
2 0 .3 0 (.80 0 )  
1 9 .7 0 (.77 5 )  
NOTES:  
5. 50 (.2 17 )  
4. 50 (.1 77 )  
2 X  
1
DIMENSIONING & TOLERAN CING  
PER AN SI Y14.5M, 1982.  
CONTROLLING DIMENSION : IN CH .  
CONFORM S TO JEDEC OUTLINE  
TO-247-AC.  
1
2
3
2
3
- C  
-
1 4.8 0 (.5 8 3 )  
1 4.2 0 (.5 5 9 )  
4 .3 0 (.1 7 0 )  
3 .7 0 (.1 4 5 )  
LEAD ASSIGN MENTS  
2 .4 0 (.09 4 )  
2 .0 0 (.07 9 )  
0 .8 0 (. 03 1 )  
0 .4 0 (. 01 6 )  
1 .4 0 (.0 56 )  
1 .0 0 (.0 39 )  
3 X  
3 X  
1 - GATE  
2 - DRAIN  
3 - SOURCE  
4 - DRAIN  
2 X  
2.6 0 (.10 2 )  
2.2 0 (.08 7 )  
0 .25 (.0 10 )  
C
A
S
M
5 .45 (.2 1 5)  
3 .4 0 (.1 3 3 )  
3 .0 0 (.1 1 8 )  
2 X  
Part Marking  
E XAM P LE : THIS IS A N IR FP E30  
W ITH AS SE MB LY  
A
P AR T NUM B ER  
IN TER NATION AL  
RECTIFIER  
LOGO  
LOT CO DE 3A1Q  
IRFPE 30  
3A1Q 9302  
DA TE C ODE  
(Y YW W )  
A S SEM B LY  
LOT COD E  
YY  
= YE A R  
W W W EE K  
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331  
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020  
IR CANADA:15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T 3Z2, Tel: (905) 453 2200  
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590  
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111  
IR FAR EAST: 171 (K&H Bldg.) 30-4 Nishi-ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo Japan Tel: 81 33 983 0086  
IR SOUTHEAST ASIA:315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 16907 Tel: 65 221 8371  
Data and specifications subject to change without notice.  
10/97  
8
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配单直通车
IRFPG50产品参数
型号:IRFPG50
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:THOMSON CONSUMER ELECTRONICS
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.1 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):190 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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