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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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产品型号IRGPS60B120KDP的概述

IRGPS60B120KDP的概述与详细分析 随着电子技术的迅速发展,功率电子器件在各类应用中扮演着越来越重要的角色。作为一种关键的功率元件,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)因其高效能和高电压承受能力而被广泛应用于变频器、电动机驱动和可再生能源等领域。其中,IRGPS60B120KDP是一款极具代表...
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IRGPS60B120KDP产品参数
型号:IRGPS60B120KDP
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-274AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:3.52
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):105 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):58 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-274AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):595 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):45 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):411 ns
标称接通时间 (ton):104 ns
Base Number Matches:1
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