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IRL2203NPBF产品参数和技术文档

IRL2203NPBF产品图

IRL2203NPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.76000
$1.76
10
1.55600
$15.56
100
1.22980
$122.98
500
0.95376
$476.88
1,000
0.75296
$752.96

IRL2203NPBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):116A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 60A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3290pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):180W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:*IRL2203NPBF SP001573688

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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