IRL2203NPBF产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：116A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3290pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：180W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

其它名称：*IRL2203NPBF SP001573688

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）