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    IRLML6302TRPBF产品图

    IRLML6302TRPBF产品参考价格

    价格分段
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    3,000
    0.13283
    $398.48

    IRLML6302TRPBF产品参数

    品牌:Infineon Technologies

    描述:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

    详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3™/SOT-23

    制造商:Infineon Technologies

    系列:HEXFET®

    包装:带卷(TR)

    零件状态:在售

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):20V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):780mA(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 610mA,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.6nC @ 4.45V

    Vgs(最大值):±12V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):97pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):540mW(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:Micro3™/SOT-23

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    标准包装:3,000

    其它名称:IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 SP001574060

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