IRLML6302TRPBF产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3™/SOT-23

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：780mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 610mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.6nC @ 4.45V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：97pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：540mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：Micro3™/SOT-23

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 SP001574060