J113产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 35V 625MW TO92

详细描述：JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：35V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：2mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：500mV @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-

电阻 - RDS（开）：100 Ohms

功率 - 最大值：625mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92-3

基本零件编号：J113

标准包装：10,000

其它名称：J113FS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）