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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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JAN1N3612产品参数
型号:JAN1N3612
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:GENERAL SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DO-204
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.25
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:300 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-PRF-19500/228
最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:2 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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