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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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JAN1N5712产品参数
型号:JAN1N5712
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HEWLETT PACKARD CO
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.14
Is Samacsys:N
最小击穿电压:20 V
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
最大二极管电容:1.2 pF
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.15 µA
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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