JANSR2N7389产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：P CHANNEL MOSFET TO-39

详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 25W（Tc） TO-205AF（TO-39）

制造商：Microsemi Corporation

系列：军用，MIL-PRF-19500/630

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 6.5A，12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：45nC @ 12V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：25W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-205AF（TO-39）

封装/外壳：TO-205AF 金属罐

标准包装：50