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JANSR2N7389产品参数和技术文档

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JANSR2N7389产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
385.19300
$19,259.65

JANSR2N7389产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:P CHANNEL MOSFET TO-39

详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 25W(Tc) TO-205AF(TO-39)

制造商:Microsemi Corporation

系列:军用,MIL-PRF-19500/630

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):350 毫欧 @ 6.5A,12V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 12V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):25W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-205AF(TO-39)

封装/外壳:TO-205AF 金属罐

标准包装:50

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