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产品型号JANTX2N6351的概述

芯片 JANTX2N6351 概述 JANTX2N6351 是一款经过军用认证的 N 型功率晶体管，通常用于高频和高效率的电源管理和放大应用。该芯片符合 MIL-PRF-19500 标准，显示了它在严格环境下的可靠性，适合用于航空航天、军事和工业设备。作为一种功率晶体管，JANTX2N6351 的主要作用是控制电流流动，实现信号放大和开关功能，使其成为多种电子应用的重要组成部分。详细参数 JANTX2N6351 的主要技术参数如下： - 类型：N 型功率晶体管 - 最大集电极电压 (Vce)：80V - 最大集电极电流 (Ic)：15A - 最大功耗 (Pd)：125W - 增益带宽积 (fT)：高达 3MHz - 温度范围：-55°C 至 +150°C - 封装形式：TO-3 - 散热特性：良好的热管理设计以支持高功率应用这些参数显示了该晶体管在高电压和电流应用中的适应性，同时能...

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TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 472

Devices

Qualified Level

JAN

2N6350

2N6351

2N6352

2N6353

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N6350 2N6351

2N6352 2N6353

Symbol

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

150

Vdc

V_CER

V_CBO

150

6.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

Vdc

Adc

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_EBO

I_B

Collector Current

I_C

2N6350, 2N6351

TO-33*

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

1.0⁽²⁾

5.0⁽³⁾

2.0⁽⁴⁾

25⁽⁵⁾

⁰C

P_T

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

⁰C/W

qJC

1) Applies for t_p£ 10 ms, Duty cycle £ 50%

2N6352, 2N6353

TO-24* (TO-213AA)

2) Derate linearly @ 5.72 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

3) Derate linearly @ 50 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

4) Derate linearly @ 11.4 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

5) Derate linearly @ 250 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

Vdc

I_C= 25 mAdc, R_B1E= 2.2 kW, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_(BR)

CER

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N6350, 2N6351, 2N6352, 2N6353 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

Emitter-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

6.0

Vdc

I_EB= 12 mAdc, Base 1 Open

I_EB= 12 mAdc, Base 2 Open

V_(BR)

EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

1.0

mAdc

V_EB1= 2.0 Vdc, R_B2E= 100 W, V_CE= 80 Vdc

V_EB1= 2.0 Vdc, R_B2E= 100 W, V_CE= 150 Vdc

ON CHARACTERISTICS ⁽⁶⁾

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

I_CEX

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 1.0 W

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

I_C= 10 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

2,000

400

h_FE

10,000

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 1.0 W

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

I_C= 10 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 5.0 Adc, R_B2E= 100 W, I_B1= 5.0 mAdc

I_C= 5.0 Adc, R_B2E= 100 W, I_B1= 10 mAdc

Base-Emitter Voltage

1,000

200

1.5

2.5

Vdc

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_CE(sat)

2.5

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 5.0 Vdc, R_B2E= 100 W

V_BE1(on)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward Current Transfer Ratio

½h_fe½

5.0

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 10 Vdc, R_B2E= 100 W; f = 10 MHz

Output Capacitance

120

V_CB1= 10 Vdc, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz, Base 2 Open

C_obo

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time

V_CC= 30 Vdc; I_C= 5.0 Adc

(See fig 4 for 2N6350, 2N6352)

^ton

0.5

1.2

(See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

Turn-Off Time

V_CC= 30 Vdc; I_C= 5.0 Adc

(See fig 4 for 2N6350, 2N6352)

(See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

^toff

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= +100⁰C, 1 Cycle, t ³ 1.0 s, t_r+ t_f= 10 ms, R_B2E= 100 W (See fig 6 for 2N6350, 2N6351)

Test 1

V_CE= 1.5Vdc, I_C= 3.3 Adc

Test 2

V_CE= 30 Vdc, I_C= 167 mAdc

Test 3

V_CE= 80 Vdc, I_C= 35 mAdc

2N6350, 2N6351

2N6350

Test 4

V_CE= 150 Vdc, I_C= 13 mAdc

2N6351

T_C= +100⁰C, 1 Cycle, t ³ 1.0 s, t_r+ t_f= 10 ms, R_B2E= 100 W (See fig 7 for 2N6352, 2N6353)

Test 1

V_CE= 5.0Vdc, I_C= 5.0 Adc

Test 2

V_CE= 10 Vdc, I_C= 2.5 Adc

Test 3

V_CE= 80 Vdc, I_C= 95 mAdc

Test 4

V_CE= 150 Vdc, I_C= 35 mAdc

2N6352, 2N6353

2N6352

2N6353

(6) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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型号:	JANTX2N6351
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	SILICON TRANSISTOR CORP
零件包装代码：	TO-33
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-33
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
JESD-609代码：	e0
元件数量：	1
端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W
认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/472B
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
最大关闭时间（toff）：	1200 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

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