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JANTX2N7334产品参数
型号:JANTX2N7334
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-14
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.15
其他特性:HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):75 mJ
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:0.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-036AB
JESD-30 代码:R-CDIP-T14
JESD-609代码:e0
元件数量:4
端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):4 A
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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