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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家TECCOR 
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 厂家LITTELFUSEINC 
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  • 公司原装现货可含税!假一罚十!
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  • 集好芯城

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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 厂家TECCOR 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市鹏和科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • K2000E70图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号K2000E70的概述

芯片K2000E70的概述 K2000E70是一款高性能、低功耗的集成电路芯片,广泛应用于现代电子设备中。其设计旨在满足日益增长的计算需求和实时数据处理能力,特别适合于嵌入式系统、工业控制及各种消费电子产品。K2000E70通过其独特的架构和优化算法,实现了卓越的操作效率与灵活性。此外,K2000E70还具备高集成度,减少了外围电路的需求,使得系统设计更加简化。 芯片K2000E70的详细参数 K2000E70的参数包括其工作电压范围、处理速度、存储功能等。具体参数如下: - 工作电压:3.3V至5V - 工作频率:最高可达200MHz - 核心架构:基于ARM Cortex-M系列架构 - 内存:集成512KB的Flash存储和128KB的SRAM - IO口数量:32个通用输入输出(GPIO)端口 - 通信接口:支持UART、SPI、I2C等多种通讯协议 - 温度范围:-40°C至...

产品型号K2000E70的Datasheet PDF文件预览

DO-15X  
Axial Lead  
DO-214AA  
Surface Mount  
TO-202AB  
Type 1  
TO-92  
Type 70  
Do not use mounting tab  
or center lead,  
electrically connected  
SIDAC  
(95 - 330 Volts)  
9
General Description  
The Sidac is a silicon bilateral voltage triggered switch with  
greater power-handling capabilities than standard diacs. Upon  
application of a voltage exceeding the Sidac breakover voltage  
point, the Sidac switches on through a negative resistance region  
to a low on-state voltage. Conduction will continue until the cur-  
rent is interrupted or drops below the minimum holding current of  
the device.  
Applications  
High voltage lamp ignitors  
Natural gas ignitors  
Gas oil ignitors  
High voltage power supplies  
Xenon ignitors  
Over voltage protector  
Pulse generators  
Fluorescent lighting ignitors  
HID lighting ignitors  
Teccor offers the complete voltage range (95-330) over three dif-  
ferent packages:  
TO-92 (95-280 volts)  
Axial lead DO-15X (95-280 volts)  
Surface Mount DO-214AA (95-280 volts)  
TO-202AB (190-330 volts)  
Teccor’s Sidacs feature glass passivated junctions to ensure a  
rugged and dependable device capable of withstanding harsh  
environments.  
Features  
AC circuit oriented  
Variations of devices covered in this data sheet are available for  
custom design applications. Please consult the factory for more  
information.  
Glass-passivated junctions  
High surge current capability  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
9-1  
SIDAC  
Electrical Specifications  
I
V
V
I
I
BO  
Part No.  
T(RMS)  
DRM  
BO  
DRM  
On-State  
RMSCurrent  
TJ125°C  
50/60Hz  
Sine Wave  
(7) (8)  
Repetitive  
Peak  
Off-State  
Voltage  
Breakover Voltage  
50/60Hz Sine Wave  
(1)  
Repetitive Breakover  
Peak  
Current  
Off-State  
50/60Hz  
Current Sine Wave  
50/60Hz  
Sine Wave  
Type  
V=VDRM  
DO-15X  
G Package  
TO-92  
E Package  
TO-202AB  
F Package  
DO-214AA  
S Package  
Amps  
MAX  
1.0  
Volts  
MIN  
±90  
Volts  
µAmps  
µAmps  
MAX  
10  
See “Package Dimensions” section for variations.  
MIN  
95  
MAX  
113  
118  
125  
138  
146  
170  
215  
230  
250  
250  
280  
330  
MAX  
5
K1050E70  
K1050G  
K1100G  
K1200G  
K1300G  
K1400G  
K1500G  
K2000G  
K2200G  
K2400G  
K1050S  
K1100E70  
K1200E70  
K1300E70  
K1400E70  
K1500E70  
K2000E70  
K2200E70  
K2400E70  
K1100S  
K1200S  
K1300S  
K1400S  
K1500S  
K2000S  
K2200S  
K2400S  
1.0  
±90  
104  
110  
120  
130  
140  
190  
205  
220  
220  
240  
270  
5
10  
1.0  
±90  
5
10  
1.0  
±90  
5
10  
1.0  
±90  
5
10  
1.0  
±90  
5
10  
K2000F1  
K2200F1  
K2400F1  
K2401F1  
K2500F1  
K3000F1  
1.0  
±180  
±180  
±190  
±190  
±190  
±190  
5
10  
1.0  
5
10  
1.0  
5
10  
1.0 (10)  
1.0  
5
10  
K2500E70  
K2500G  
K2500S  
5
10  
1.0  
5
10  
General Notes  
Electrical Specification Notes  
All measurements are made at 60Hz with a resistive load at an  
ambient temperature of +25°C unless otherwise specified.  
(1) See Figure 9.6 for VBO change vs junction temperature.  
(2) See Figure 9.7 for IBO vs junction temperature.  
(3) See Figure 9.2 for IH vs case temperature.  
(4) See Figure 9.14 for test circuit.  
(5) See Figure 9.1 for more than one full cycle rating.  
(6) RθJA for TO-202 Type 23 and Type 41 is 70°C/watt.  
Storage temperature range (TS) is -65°C to +150°C.  
The case (TC) or lead (TL) temperature is measured as shown on  
the dimensional outline drawings. See “Package Dimensions” sec-  
tion of this catalog.  
(7) TC 90°C for TO-92 Sidac and T  
105°C for TO-202 Sidacs.  
C
Junction temperature range (TJ) is -40°C to +125°C.  
TL 100°C for DO-15X and T  
90°C for DO-214AA.  
L
Lead solder temperature is a maximum of +230°C for 10 seconds  
(8) See Figure 9.15 for clarification of Sidac operation.  
(9) For best Sidac operation, the load impedance should be near or  
less than switching resistance.  
maximum; 1/16" (1.59mm) from case.  
(10) Teccor's new, improved series of sidacs is designed to ensure  
goodcommutationathigherswitchingfrequenciesasrequiredinignitor  
circuits for high intensity discharge (HID) lighting. A typical circuit  
for a metal halide lamp ignitor is shown in the schematic, Figure  
9.3. With proper component selection this circuit will produce three  
pulses for ignition of Osram lamp types such as HQI-T70W, HQI-  
T150W, and HQI-T250W which require a minimum of three pulses  
at 4kV magnitude and >1 s duration each at a minimum repetition  
µ
rate of 3.3kHz.  
SIDAC  
9-2  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
SIDAC  
I
V
I
R
dV /dt  
dv/dt  
di/dt  
H
TM  
TSM  
S
q
Peak  
Peak One  
Cycle Surge  
Current  
Dynamic  
Holding Current  
50/60Hz  
Sine Wave  
R = 100Ω  
(3) (4)  
Switching  
Resistance  
Critical  
Critical  
Critical  
On-State  
Voltage  
= 1 Amp  
Rate-of-Rise Rate-of-Rise Rate-of-Rise  
of Turn-off  
Voltage at  
8kHz  
of Off-State  
Voltage at  
of On-State  
Current  
I
50/60Hz Sine Wave  
(Non-Repetitive)  
(5)  
(V  
V )  
T
BO  
S
)
R
= -------------------------------  
S
Rated V  
(I I  
DRM  
S
BO  
T
100°C  
J
50/60Hz Sine Wave  
(9)  
Volts  
Max  
Amps  
mAmps  
Package  
60Hz  
50Hz  
kΩ  
MIN  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
2.0  
0.1  
0.1  
Volts/µSec  
Volts/µSec  
MIN  
Amps/µSec  
TYP  
150  
TYP  
MAX  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
E
G
F
S
MIN  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
42  
20  
20  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
16.7  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
1500  
150  
150  
150  
150  
150  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
150  
150  
150  
150  
1.5  
1.5  
1.5  
150  
150  
100  
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal  
LOAD: Resistive  
RMS ON-STATE CURRENT: I RMS Maximum Rated  
T
Value at Specified Junction Temperature  
40  
20  
10  
8.0  
6.0  
BLOCKING CAPABILITY MAY BE LOST  
DURING AND IMMEDIATELY  
FOLLOWING SURGE CURRENT  
INTERVAL  
4.0  
OVERLOAD MAY NOT BE REPEATED  
UNTIL JUNCTION TEMPERATURE  
HAS RETURNED TO STEADY-STATE  
RATED VALUE.  
2.0  
1.0  
1.0  
10  
100  
1000  
Surge Current Duration - Full Cycles  
Figure 9.1  
Peak Surge Current vs Surge Current Duration  
V-I Characteristics  
THERMAL RESISTANCE (STEADY STATE)  
[R ] °C/W (TYPICAL)  
R
θJC  
θJA  
E
G
F (6)  
S
35 [95]  
18 [75]  
7 [45]  
30 [85]  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
9-3  
SIDAC  
Electrical Specifications  
140  
120  
100  
80  
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal - 60 Hz  
LOAD: Resistive or Inductive  
FREE AIR RATING  
2.0  
1.5  
1.0  
.5  
60  
40  
25  
20  
0
-40  
-15  
+25  
+65  
+105  
+125  
Case Temperature (T ) -  
C
C
˚
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
RMS On-State Current [I  
] - Amps  
T(RMS)  
Figure 9.2  
Normalized DC Holding Current vs Case/Lead Temperature  
Figure 9.5  
Maximum Allowable Ambient Temperature vs On-State  
Current  
+4  
H.V.  
STEP-UP  
TRANSFORMER  
+2  
0
BALLAST  
-2  
K2401F1  
0.1 - 0.15 µF  
-4  
220V/240V  
50/60Hz  
METAL  
HALIDE  
LAMP  
5 - 6µH  
-6  
-8  
5.6K - 8.2K  
5W  
-10  
-12  
0.22 - 0.33 µF  
+25  
+20  
-40  
-20  
0
+40  
+60  
+80 +100 +120 +140  
Typical Metal Halide Ignitor Circuit  
Junction Temperature (T ) - ˚C  
J
Figure 9.3  
Typical Metal Halide Ignitor Circuit  
Figure 9.6  
Normalized V  
Change vs Junction Temperature  
BO  
di/dt Limit Line  
600  
400  
I
TRM  
Firing  
V
BO  
200  
to  
Current  
9
8
7
6
Waveform  
l/f  
100  
80  
f=10 Hz  
60  
5
4
40  
V=V  
BO  
3
2
20  
T =125ºC Max  
J
10  
8
6
4
1
130  
20  
30  
40  
50  
60  
70 80  
90 100 110 120  
C
2
f=20 kHz  
Junction Temperature (T ) -  
J
˚
1
0.8  
0.6  
4
6 8  
1 x 10-2  
2
4
6 8  
1 x 10-1  
2
4 6 8 1  
2 x 10-3  
Pulse base width (t ) - mSec.  
o
Figure 9.4  
SIDAC  
Repetitive Peak On-State Current (I  
Various Frequencies  
) vs Pulse Width at  
Figure 9.7  
Normalized Repetitive Peak Breakover Current vs Junction  
Temperature  
TRM  
9-4  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
SIDAC  
9
8
7
6
5
4
3
2
T
=25˚C  
L
4.7 µF  
TO-92, DO-214AA & DO-15X  
"E", "S" and "G" Packages  
-
+
100V  
4.7 kΩ  
10 µF  
-
+
50V  
K1200E  
SIDAC  
½ W  
+
-
4.7 µF  
100V  
200V  
1.2 µF  
24 VAC  
60 Hz  
TO-202 "F" Package  
1
0
H.V.  
IGNITOR  
0
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6  
Positive or Negative Instantaneous On-State Voltage (v ) - Volts  
T
Figure 9.8  
On-State Current vs On-State Voltage (Typical)  
Figure 9.11 Ignitor Circuit (Low Voltage Input)  
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal  
2.2  
LOAD: Resistive or Inductive  
CONDUCTION ANGLE: See Figure 9.15  
BALLAST  
BALLAST  
2.0  
1.8  
TO-202 "F" Package  
1.6  
1.4  
1.2  
0.47µF  
400V  
SIDAC  
SIDAC  
0.22µF  
LAMP  
3.3 KΩ  
7.5 KΩ  
LAMP  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
120 VAC  
60 Hz  
220 VAC  
60 Hz  
16 mH  
"E", "S" & "G" Packages  
TO-92, DO-214AA & DO-15X  
120 VAC  
220 VAC  
0
0.2  
0.6  
RMS On-State Current [I  
0.8  
1.0  
0.4  
] - Amps  
T(RMS)  
Figure 9.9  
Power Dissipation (Typical) vs On-State Current  
Figure 9.12 Typical High Pressure Sodium Lamp Firing Circuit  
XENON LAMP  
100Ω  
10 µF  
-
+
SCR  
SIDAC  
250V  
2w  
20 MΩ  
K2200F1  
4KV  
+
-
100-250  
VAC  
60 Hz  
100-250  
VAC  
60 Hz  
10 µF  
450V  
SIDAC  
120VAC  
60Hz  
.01µF  
400V  
200-  
400V  
TRIGGER  
TRANSFORMER  
20:1  
Figure 9.10 Comparison of Sidac vs SCR  
Figure 9.13 Xenon Lamp Flashing Circuit  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
9-5  
SIDAC  
Electrical Specifications  
PUSH  
TO  
TEST  
V
BO  
V
V
SWITCH TO TEST IN  
EACH DIRECTION  
BO  
BO  
S1  
I
PK  
100-250  
VAC  
60 Hz  
100-250  
VAC  
60 Hz  
DEVICE  
UNDER  
TEST  
TRACE STOPS  
100 Ω  
1%  
I
H
LOAD  
I
I
I
H
H
H
S1  
120-145  
CONDUCTION  
ANGLE  
˚
SCOPE  
SCOPE INDICATIONS  
LOAD CURRENT  
Figure 9.14 Dynamic Holding Current Test Circuit for Sidacs  
Figure 9.15 Basic Sidac Circuit  
(a) Circuit  
(b) Waveforms  
V
BO  
V
R
SIDAC  
C
V
V  
B0  
V
DC(IN)  
C
t
t
I
C
L
R
L
I
L
V
- V  
BO  
- V  
IN  
BO  
R
max  
I
V
IN  
TM  
R
min  
I
H (MIN)  
Figure 9.16 Relaxation oscillator Using a Sidac  
INPUT  
VOLTAGE  
t
3 ms  
w
V
MONITOR  
(See Note A)  
CE  
0 V  
5 V  
t
(See Note B)  
w
100 mH  
COLLECTOR  
CURRENT  
0.63 A  
R
100 mS  
2N6127  
(or equivalent)  
BB1 =  
150Ω  
TIP-47  
INPUT  
0
50Ω  
SIDAC V  
BO  
+
-
R
BB2 =  
I
MONITOR  
50Ω  
V
= 20 V  
C
CC  
100Ω  
COLLECTOR  
VOLTAGE  
V
=0  
+
-
BB2  
R
= 0.1 Ω  
S
10 V  
V
=10 V  
BB1  
V
CE(sat)  
TEST CIRCUIT  
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS  
NOTE A: Input pulse width is increased until I  
= 0.63A.  
CM  
NOTE B: Sidac (or Diac or series of Diacs) chosen so that V  
The Sidac (or Diac) eliminates a reverse breakdown of the transistor in inductive switching circuits where otherwise the  
transistor could be destroyed.  
is just below V  
rating of transistor to be protected.  
CEO  
BO  
Figure 9.17 Sidac Added to Protect Transistor for Typical Transistor Inductive Load Switching Requirements  
SIDAC  
9-6  
Teccor Electronics  
(972) 580-7777  
配单直通车
K2000E70产品参数
型号:K2000E70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T2
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5
最大转折电压:215 V
最小转折电压:190 V
配置:SINGLE
标称维持电流:60 mA
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T2
JESD-609代码:e0
通态非重复峰值电流:20 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified
重复峰值反向电压:180 V
子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
触发设备类型:SIDAC
Base Number Matches:1
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  • 数量*
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