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型号: | K4S643234E-SE70 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 143 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13 mm |
内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 90 |
字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 2MX32 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.45 mm |
自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.0012 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.145 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 11 mm |
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