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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 深圳市毅创弘电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号K6X1008C2D-PF70的概述

K6X1008C2D-PF70 芯片概述 K6X1008C2D-PF70 是一种高性能动态随机存取存储器(DRAM),由著名的半导体制造公司三星电子(Samsung Electronics)生产。随着现代电子设备对存储需求的激增,该芯片以其较高的数据传输速度和存储容量得到了广泛应用。K6X1008...
配单直通车
K6X1008C2D-PF70产品参数
型号:K6X1008C2D-PF70
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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