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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO92L 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 数量360500 
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 封装TO92L 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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  • 深圳市锦喆鸿电子有限公司

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  • 厂家SUMSUNG 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量1200 
  • 厂家ON 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量7895 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-92 
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产品型号KSC2330的概述

KSC2330概述 KSC2330是一款以高性能为目标设计的NPN晶体管,属于功率放大器类别,广泛应用于音频放大器、开关电源和射频电路等领域。这款器件因其良好的电气特性和稳定性在各种电子应用中得到了普遍的应用。KSC2330具有优秀的增益特性和耐压能力,能够在多种工作环境下表现出色。 KSC2330详细参数 从电气参数来看,KSC2330具有以下主要规格: - 最大集电极电压(V_CE): 60 V - 最大集电极电流(I_C): 6 A - 直流电流增益(h_FE): 100 至 600(在I_C = 1 A时,h_FE可在此范围内变化) - 最大功耗(P_T): 40 W(在适当的散热条件下) - 工作温度范围: -55°C至+150°C - 结温(T_J): 150°C(最大值) - 封装类型: TO-220 KSC2330的特点使其在高电流和高电压应用中都能展现出良好的工作性能...

产品型号KSC2330的Datasheet PDF文件预览

KSC2330  
Color TV Chroma Output  
Collector-Base Voltage : V  
Current Gain Bandwidth Product : f =50MHz (TYP.)  
=300V  
CBO  
T
TO-92L  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
300  
V
V
CBO  
300  
CEO  
EBO  
7
100  
V
I
mA  
W
°C  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1
C
T
T
150  
J
-55 ~ +150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notd  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
300  
300  
7
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
V
=200V, I =0  
0.1  
240  
0.5  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=10V, I =20mA  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
V
CE  
C
B
f
V
=30V, I =10mA  
50  
4
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
Typical Characteristics  
20  
16  
12  
8
1000  
100  
10  
VCE = 10V  
IB = 120µA  
IB = 100µA  
IB = 80µA  
IB = 60µA  
IB = 40µA  
IB = 20µA  
4
1
0
1
10  
100  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
IC[mA], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. Static Characteristic  
Figure 2. DC current Gain  
10  
100  
10  
1
IC = 10 IB  
f = 1MHz  
IE = 0  
1
VBE(sat)  
0.1  
VCE(sat)  
0.1  
0.01  
1
10  
100  
1
10  
100  
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE  
IC[mA], COLLECTOR CURRENT  
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Figure 4. Collector Output Capacitance  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
Ta[oC], AMIBIENT TEMPERATURE  
Figure 5. Power Derating  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
Package Dimensions  
TO-92L  
4.90 ±0.20  
0.70MAX.  
0.80 ±0.10  
1.00MAX.  
0.50 ±0.10  
1.27TYP  
[1.27 ±0.20  
]
0.45 ±0.10  
2.54 TYP  
3.90 ±0.20  
Dimensions in Millimeters  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
TRADEMARKS  
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LittleFET™  
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MicroPak™  
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SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
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Product Status  
Definition  
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Preliminary  
First Production  
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Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
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Obsolete  
Full Production  
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Semiconductor reserves the right to make changes at  
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Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. I1  
配单直通车
KSC2330产品参数
型号:KSC2330
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TO-92L
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.71
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHz
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