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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • LH531GWR-E2
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  • LH531GWR-E2图
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • LH531GWR-E2
  • 数量6000 
  • 厂家SHARP 
  • 封装SOP7.2mm 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • LH531GWR-E2
  • 数量15000 
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  • LH531GWR-E2图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家SHARP 
  • 封装SOP7.2mm 
  • 批号24+ 
  • 原厂渠道,全新原装现货,欢迎查询!
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  • LH531GWR-E2图
  • 香港元动力半导体有限公司

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  • LH531GWR-E2
  • 数量19989 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
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LH531V00D产品参数
型号:LH531V00D
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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