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| 型号: | MBRD660CTT4G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 |
| 制造商包装代码： | 369C |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.84 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE |
| 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 最小击穿电压： | 60 V |
| 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.9 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A |
| 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 100 µA |
| 反向测试电压： | 60 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
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