MB85RS2MTPF 铁电存储器 100%原装正品
日期:2019-2-261Mbit / 2Mbit FRAM SPI接口非易失性存储器
MB85RS1MT / MB85RS2MT
这两款新产品是富士通半导体提供的最大容量串口FRAM,分别带有1 Mbit和2 Mbit的 存储器,适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。它有助于开发高性能、小型和节能的 设备,为客户大幅降低整体成本。 *FRAM:Ferroelectric RAM :铁电存储器
FRAM解决方案的优势:
与以往的串行存储器相比,FRAM具 有低功耗、高速写入和高耐受力等特点, 可以减轻产品开发人员在存储器系统设 计方面的烦恼和负担。FRAM还有助于降 低终端产品运用中的风险并将损失控制 到最小范围,有利于降低从产品开发到运 用的整体成本。 图1所示为FRAM的目标应用之一,即 电力仪表开发人员在存储器系统设计上 的烦恼及其解决方案。 以下将具体介绍FRAM的特点以及能 给客户带来的好处。
低功耗改善设备能耗:
利用非易失性存储器FRAM取代SRAM 可省却数据维持所需的电池,从而节省 电力。EEPROM数据写入时电流大、时间 长,因而功耗也大。在电力仪表等应用 中,由于需要频繁读取和记录数据,采用 EEPROM时功耗会较大。 FRAM数据写入时电流小、速度快, 因而功耗也小。采用FRAM作为数据记录 用的存储器设备能耗更低。 与存储容量相同的EEPROM相 比, FRAM写入时最大可减少92%的功耗(写 入速度2K字节/秒)。
型号 接口 存储器容量 电源电压 工作周期 (最大) 工作温度范围 数据读写 次数 数据 保持特性 封装
MB85RS1MT SPI 1Mbit 1.8 ~ 2.7 V 25MHz -40 ~+85℃ 10万亿次(1013次) 10年(+85℃) 8脚SOP 2.7~ 3.6 V 30MHz* MB85RS2MT SPI 2Mbit 1.8 ~ 2.7 V 25MHz -40 ~+85℃ 10万亿次(1013次) 10年(+85℃) 8脚SOP 8脚DIP 2.7~ 3.6 V 25MHz* *40MHz条件下的高速读动作。
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应用领域:手机, 电视, OTT ,车载,汽车电子,蓝牙音响,玩具,网通,DVB-S,Pc周边,机顶盒,安防,平板, PC主板,VR,电视等
富士通半导通信机存器
型号:MB85R256F、MB85R4M2T、MB85RC04V、MB85RC128A、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC1MT、MB85RC256V、MB85RC512T、MB85RC64TA、MB85RC64V、MB85RDP16LX(*)、MB85RQ4ML、MB85RS128、MB85RS128B、MB85RS16N、MB85RS1MT、MB85RS256B、MB85RS256TY、MB85RS2MTA、MB85RS512T、MB85RS64、MB85RS64V、MB85RS128TY、MB97R8110、MB85RDP16LX、MB85RS64T、MB85RS64TU、MB94R330、MB97R8050、MB89R119B、MB89R112A、MB89R112B、MB89R118C、MB97R8120、MB97R8130