WNM3013-3/TR增强型MOS场效应晶体管

小信号N沟道，50V，0.25A，MOSFET

说明

WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅，不含卤素。

品牌：韦尔

型号；WNM3013-3/TR

封装：SOT723

包装：80000

年份：18+

瑞利诚科技（深圳）有限公司

联系人：何小姐

TEL:13723714318

qq：3007215867

绝对最大额定值

热阻额定值

a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜

b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜

c脉冲宽度<380μs，占空比<2％

d最高结温TJ = 150°C。

参数符号10 S稳态单元

漏源电压VDS 50V

栅源电压VGS±20

连续漏极电流a d TA = 25°C ID 0.27 0.25A

TA = 70℃0.21 0.20

最大功耗a d TA = 25°C PD

0.44 0.38W

TA = 70℃0.28±0.24

连续漏极电流b d TA = 25°C ID

0.23 0.21A

TA = 70℃0.18±0.17

最大功耗b d TA = 25°CPD

0.3 0.27W

TA = 70℃0.2 0.17

脉冲漏极电流c IDM 1.0 A.

工作结温TJ -55至150°C

引线温度TL 260°C

存储温度范围Tstg -55至150°C

参数符号典型最大单位

结至环境热阻at≤10s

RθJA225285°C / W.

稳态270 330

结至环境热阻bt≤10s

RθJA330400

稳态390 460

结至壳体热阻稳态RθJC230265

电子特性（Ta = 25oC，除非另有说明）

参数符号测试条件最小值典型值最大值

关闭特征

排水源故障

电压

BVDSS VGS = 0V，ID = 250uA 50 V.

零栅极电压漏极电流IDSS VDS = 24V，VGS = 0V 1 uA

栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V，VGS =±20V±5 uA

关于特征

栅极阈值电压VGS（TH）VGS = VDS，ID = 250uA 0.8 1.0 1.5 V.

漏极 - 源极导通电阻

b，c RDS（上）

VGS = 10V，ID = 0.45A 1.2 3Ω

VGS = 4.5V，ID = 0.25A 1.3 4

VGS = 4.0V，ID = 0.25A 1.4 4

VGS = 2.5V，ID = 0.01A 1.9 6

VGS = 1.8V，ID = 0.01A 4.0 15

正向传导gfs VDS = 15V，ID = 0.1A 0.5 S.

电容，费用

输入电容CISS VGS = 0 V，F = 1.0 MHz，VDS = 5 V.36

输出电容COSS 22 pF

反向传输电容CRSS 12

总栅极电荷QG（TOT）VGS = 10 V，VDD = 30 V，

ID = 0.1 A. 1.6 NC

阈值栅极电荷QG（TH）0.25

门到源充电QGS 0.4

栅极 - 漏极电荷QGD 0.45

切换特性

导通延迟时间td（ON）VGS = 5 V，VDD = 5 V，RL =500Ω，RG =10Ω，ID = 10m A 8.6NS

上升时间tr 4

关闭延迟时间td（OFF）23.8

下降时间tf 14.2

身体二极管特征

正向电压VSD VGS = 0 V，IS = 0.25A 0.8 1.5 V.