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RSJ650N10TL

日期:2019-4-17类别:会员资讯 阅读:850 (来源:互联网)
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深圳市斌腾达科技有限公司
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深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西5楼C01

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深圳市斌腾达科技有限公司

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Q Q:2099320098  595190937

Email  :zhujunbin163@163.com

型号 |RSJ650N10TL
STATUS |供应中
封装 |LPTS(D2PAK)
包装数量 |1000
最小独立包装数量 |1000
包装形态 |TAPING
ROHS |YES

特性:

Grade

Standard

Package Code

TO-263(D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

65.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

Total gate charge Qg[nC]

260.0

Power Dissipation (PD)[W]

100.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

<概要>

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。
ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特基势垒二极管(SBD)※4)、于2017年开始供应车载充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。
此次新增加的10个机型是采用沟槽栅极结构※5)、并支持车载应用的SiC MOSFET,产品已于2018年12月开始以月产50万个的规模开始量产(样品价格:500~5,000日元/个,不含税。※具体价格因产品而异)。前期工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

<背景>

近年来,随着环保意识的提高和燃油价格的飙升,电动汽车的市场需求不断增长。而另一方面,虽然电动汽车(EV)日渐普及,然而续航距离短始终是亟需解决的课题之一。为了延长续航距离,所配置电池的容量呈日益增加趋势,与此同时,还要求缩短充电时间。而要想实现这些目标,就需要更高输出且更高效率的车载充电器(11kW、22kW等),采用SiC MOSFET的应用越来越多。另外,以欧洲为中心,所配置电池的电压也呈日渐增高趋势(800V),这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。
为了满足这些市场需求,ROHM一直在加强满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容,加上此次新增的产品,ROHM实施量产的SiC SBD和SiC MOSFET已达到34个机型,拥有傲人的业界领先阵容。在SiC MOSFET领域,拥有650V、1200V耐压的产品阵容,可为客户提供先进的解决方案。

自创立以来,ROHM一直秉承“品质第一”的企业宗旨,采用从开发到制造全部在集团内进行的“垂直统合型”体系,在所有的流程中严格贯彻高品质理念,并积极建立切实可靠的可追溯系统,优化供应链。针对SiC功率元器件产品,也建立了从晶圆到封装在集团内部生产的一条龙生产体制,消除了生产过程中的瓶颈,实现高品质和高可靠性。
未来,ROHM将努力进一步提高品质,并继续壮大元器件性能更高的产品阵容,为应用的小型化、低功耗化贡献力量。