IPB123N10N TO-263
日期：2019-5-15摘要：IPB123N10N TO-263
【型号】: IPB123N10N
【封装】: TO-263
【品牌】: INFINEON
【包装】: 500
【品质】:百分百全新原厂原装正品
IPB123N10N 参数规格PDF:
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 58A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 46μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2500pF @ 50V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.3 毫欧 @ 46A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
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