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美光公司在制造工艺方面拥有积极的路线图，现在又增加了4个10纳米级节点(总共6个10纳米级技术)，该公司正在研究最终向极紫外光刻(EUVL)的过渡。美光还在扩大其生产能力，以便为下一代应用生产下一代存储器，即为消费级准备32 GB内存模块，为服务器准备64 GB DIMM。

本月早些时候，我们报道了美光的16 Gb DDR4内存芯片，该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺(也称为1Y nm)生产。这些DRAM芯片已经在用于威刚和英睿达的32 GB DDR4内存条中，这些产品也将不久后上市。

早在4月份，为了应对DRAM和新工艺技术需求的增加，美光存储台湾(前雷克斯光电半导体)新洁净室破土动工。

美光储存(台湾)早已在使用美光的第一代10纳米级制造技术(也称为1X nm)制造DRAM产品，并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺(又名1Z nm) 。与此同时，去年美光在台中附近开辟了一个新的测试和包装设施，创造了世界上唯一的垂直集成DRAM生产设施之一。

此外，美光公司宣布计划在日本广岛附近的公厂内投入20亿美元用于新的洁净室。据报道，新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的DRAM。

总的来说，美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米级工艺技术外，美光还计划推出至少四种10纳米级制造工艺：1Z，1α，1β和1γ。