MB85RS1MTPNF

MB85RS1MTPNF品牌：富士通

封装：SOP8

说明

MB85RS1MT是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为131,072

话

×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成

非易失性存储器单元。

MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需的。

MB85RS1MT中使用的存储器单元可用于10 13个读/写操作，这是重要的

改进了闪存和E 2 PROM 支持的读写操作次数。

MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E 2 PROM等数据，MB85RS1MT需要

没有等待时间。

特点

•位配置

：131,072字

×8位

•串行外设接口

：SPI（串行外设接口）

对应SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）

• 运行频率

：1.8 V至2.7 V，25 MHz（最大值）

2.7 V至3.6 V，30 MHz（最大值）

对于FSTRD命令2.7 V至3.6 V，40 MHz（最大值）

•高耐力

：10 13 次/字节

•数据保留

：10年（+85

°C），95年（+ 55°C），超过200年（+ 35°C）

•工作电源电压

：1.8 V至3.6 V

•低功耗

：工作电源电流9.5 mA（最大@ 30 MHz）

待机电流120

μA（最大值）

睡眠电流10

μA（最大值）

•运行环境温度范围：-40

°C至+ 85°C

•包装

：8针塑料SOP（FPT-8P-M02）

8引脚塑料WLP（WLP-8P-M01）

8针塑料DIP（DIP-8P-M03）

符合RoHS标准

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