TJ60S06M3L(T6L1,NQ

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: U-MOSVI

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: TJ60S06M3L  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 5.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 250 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 100 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 970 ns  

典型接通延迟时间: 127 ns  

单位重量: 340 mg