晶体管 SUM110P08-11L-E3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 180 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.83 mm  

长度: 10.67 mm  

系列: SUM  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 9.65 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 85 S  

下降时间: 550 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 330 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 135 ns  

典型接通延迟时间: 20 ns  

单位重量: 1.438 g