IXFT15N100Q3
日期：2019-9-25摘要：MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
Pd-功率耗散: 690 W
配置: Single
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFT15N100
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
上升时间: 250 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 6.500 g