TPH4R606NH
日期：2020-1-11摘要：分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TPH4R606NH,L1Q
TPH4R606NH 原装进口正品现货，假一罚十，价格优势。
型号：
TPH4R606NH
厂家:TOSHIBA
批号：19+
封装：SOP8
数量：5000
库位：
说明：新到原装现货，假一赔十！
一般信息
数据列表TPH4R606NH;
标准包装
5,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列U-MOSVIII-H其它名称TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NHL1QTR
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）32A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.6 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 500μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）49nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3965pF @ 30VFET 功能-功率耗散（最大值）1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）封装/外壳8-PowerVDFN
图像和媒体
产品相片8-PowerVDFN
特色产品U-MOSⅧ-H MOSFETs
数据列表TPH4R606NH;
标准包装
5,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列U-MOSVIII-H其它名称TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NHL1QTR
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）32A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.6 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 500μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）49nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3965pF @ 30VFET 功能-功率耗散（最大值）1.6W（Ta），63W（Tc）工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）封装/外壳8-PowerVDFN
图像和媒体
产品相片8-PowerVDFN
特色产品U-MOSⅧ-H MOSFETs